NTD4863N-1G

NTD4863N, NTD4863N-1G, NTD4863N-35G, NTD4863NA-1G, NTD4863NA-35G, NTD4863NAT4G, NTD4863NT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTD4863N-1GNTD4863N-35GNTD4863NA-1GNTD4863NA-35GNTD4863NAT4GNTD4863NT4G
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)DPak, SC-630, SOT-223, TO-220-3, TO-225-3, TO-252 (2 leads+tab), TO-92DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстия(не задано)ПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<1.27 Вт<1.27 Вт<1.27 Вт(не задано)<1.27 Вт<1.27 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
990 пФVds = 12V990 пФVds = 12V990 пФVds = 12V(не задано)990 пФVds = 12V990 пФVds = 12V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<25 В<25 В<25 В(не задано)<25 В<25 В
Постоянный ток стока
IDSS
<9.2 А<9.2 А<9.2 А(не задано)<9.2 А<9.2 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-chN-chN-ch(не задано)N-chN-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<9.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V<9.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V<9.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V(не задано)<9.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V<9.3 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвора
QG
13.5 нCVgs = 4.5V13.5 нCVgs = 4.5V13.5 нCVgs = 4.5V(не задано)13.5 нCVgs = 4.5V13.5 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateLogic Level Gate(не задано)Logic Level GateLogic Level Gate