На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTD4860N-1G | NTD4860N-35G | NTD4860NAT4G | NTD4860NT4G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <1.28 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.308 нФVds = 12V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <10.4 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <7.5 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |||
Заряд затвора | QG | 16.5 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||