На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTD4858N-1G | NTD4858N-35G | NTD4858NA-1G | NTD4858NA-35G | NTD4858NAT4G | NTD4858NT4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный |
Мощность | P | <1.3 Вт | <1.3 Вт | <2 Вт | <2 Вт | <2 Вт | <1.3 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.563 нФVds = 12V | |||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <11.2 А | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |||||
Заряд затвора | QG | 19.2 нCVgs = 4.5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||