NTD4857N

NTD4857N, NTD4857N-1G, NTD4857N-35G, NTD4857NA-1G, NTD4857NAT4G, NTD4857NT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTD4857N-1GNTD4857N-35GNTD4857NA-1GNTD4857NAT4GNTD4857NT4G
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстия(не задано)ПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<1.31 Вт<1.31 Вт(не задано)<1.31 Вт<1.31 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.96 нФVds = 12V1.96 нФVds = 12V(не задано)1.96 нФVds = 12V1.96 нФVds = 12V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<25 В<25 В(не задано)<25 В<25 В
Постоянный ток стока
IDSS
<12 А<12 А(не задано)<12 А<12 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-chN-ch(не задано)N-chN-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V<5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V(не задано)<5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V<5.7 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвора
QG
24 нCVgs = 4.5V24 нCVgs = 4.5V(не задано)24 нCVgs = 4.5V24 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level Gate(не задано)Logic Level GateLogic Level Gate