NTD4815N-1G

NTD4815N, NTD4815N-1G, NTD4815N-35G, NTD4815NH-1G, NTD4815NH-35G, NTD4815NHT4G, NTD4815NT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTD4815N-1GNTD4815N-35GNTD4815NH-1GNTD4815NH-35GNTD4815NHT4GNTD4815NT4G
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<1.26 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
770 пФVds = 12V770 пФVds = 12V845 пФVds = 12V845 пФVds = 12V845 пФVds = 12V770 пФVds = 12V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<6.9 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<15 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвора
QG
6.6 нCVgs = 4.5V6.6 нCVgs = 4.5V6.8 нCVgs = 4.5V6.8 нCVgs = 4.5V6.8 нCVgs = 4.5V6.6 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate