NTD4810N

NTD4810N, NTD4810N-1G, NTD4810N-35G, NTD4810NH-1G, NTD4810NH-35G, NTD4810NHT4G, NTD4810NT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTD4810N-1GNTD4810N-35GNTD4810NH-1GNTD4810NH-35GNTD4810NHT4GNTD4810NT4G
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<1.28 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.35 нФVds = 12V1.35 нФVds = 12V1.225 нФVds = 12V1.225 нФVds = 12V1.225 нФVds = 12V1.35 нФVds = 12V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<8.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<10 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвора
QG
11 нCVgs = 4.5V11 нCVgs = 4.5V12 нCVgs = 4.5V12 нCVgs = 4.5V12 нCVgs = 4.5V11 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate