NTD4809N-35G

NTD4809N, NTD4809N-1G, NTD4809N-35G, NTD4809NA-1G, NTD4809NA-35G, NTD4809NAT4G, NTD4809NH-1G, NTD4809NH-35G, NTD4809NHT4G, NTD4809NT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		NTD4809N-1G	NTD4809N-35G	NTD4809NA-1G	NTD4809NA-35G	NTD4809NAT4G	NTD4809NH-1G	NTD4809NH-35G	NTD4809NHT4G	NTD4809NT4G
Корпус микросхемы	Корпус	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель	Производитель	ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	Поверхностный	В отверстия	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный
Мощность	P	<1.3 Вт	<1.3 Вт	<2 Вт	<2 Вт	<2 Вт	<1.3 Вт	<1.3 Вт	<1.3 Вт	<1.3 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	1.456 нФVds = 12V	1.456 нФVds = 12V	1.456 нФVds = 12V	1.456 нФVds = 12V	1.456 нФVds = 12V	2.155 нФVds = 12V	2.155 нФVds = 12V	2.155 нФVds = 12V	1.456 нФVds = 12V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<30 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<9 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<9 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвора	Q_G	13 нCVgs = 4.5V	13 нCVgs = 4.5V	13 нCVgs = 4.5V	13 нCVgs = 4.5V	13 нCVgs = 4.5V	15 нCVgs = 4.5V	15 нCVgs = 4.5V	15 нCVgs = 4.5V	13 нCVgs = 4.5V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Standard	Standard	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate