На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTD3813N-1G | NTD3813N-35G | NTD3813NT4G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | IPak, TO-251, DPak (3 straight short leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <1.2 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 963 пФVds = 12V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <16 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <9.6 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8.75 мОмId, Vgs = 15A, 10V | ||
Заряд затвора | QG | 12.8 нCVgs = 4.5V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||