NTD2955G

NTD2955, NTD2955-1G, NTD2955G, NTD2955T4, NTD2955T4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTD2955-1GNTD2955GNTD2955T4NTD2955T4G
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<55 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
750 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<12 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<180 мОмId, Vgs = 6A, 10V
Заряд затвора
QG
30 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard