На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTD12N10-1G | NTD12N10G | NTD12N10T4 | NTD12N10T4G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <1.28 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 550 пФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <12 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <165 мОмId, Vgs = 6A, 10V | |||
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||