NTB85N03

NTB85N03, NTB85N03G, NTB85N03T4, NTB85N03T4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTB85N03GNTB85N03T4NTB85N03T4G
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<80 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.15 нФVds = 24V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<28 В
Постоянный ток стока
IDSS
<85 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<6.8 мОмId, Vgs = 40A, 10V
Заряд затвора
QG
29 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Standard