NTB75N03

NTB75N03, NTB75N03-006, NTB75N03-06T4, NTB75N03-6G, NTB75N03-6T4G, NTB75N03L09G, NTB75N03L09T4, NTB75N03L09T4G, NTB75N03R, NTB75N03RG, NTB75N03RT4, NTB75N03RT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		NTB75N03-006	NTB75N03-06T4	NTB75N03-6G	NTB75N03-6T4G	NTB75N03L09G	NTB75N03L09T4	NTB75N03L09T4G	NTB75N03R	NTB75N03RG	NTB75N03RT4	NTB75N03RT4G
Корпус микросхемы	Корпус	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель	Производитель	ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный
Мощность	P	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<1.25 Вт	<1.25 Вт	<1.25 Вт	<1.25 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	5.635 нФVds = 25V	5.635 нФVds = 25V	5.635 нФVds = 25V	5.635 нФVds = 25V	5.635 нФVds = 25V	5.635 нФVds = 25V	5.635 нФVds = 25V	1.333 нФVds = 20V	1.333 нФVds = 20V	1.333 нФVds = 20V	1.333 нФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<30 В	<25 В	<25 В	<25 В	<25 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<75 А	<9.7 А	<9.7 А	<9.7 А	<9.7 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<6.5 мОмId, Vgs = 37.5A, 10V	<6.5 мОмId, Vgs = 37.5A, 10V	<6.5 мОмId, Vgs = 37.5A, 10V	<6.5 мОмId, Vgs = 37.5A, 10V	<8 мОмId, Vgs = 37.5A, 5V	<8 мОмId, Vgs = 37.5A, 5V	<8 мОмId, Vgs = 37.5A, 5V	<8 мОмId, Vgs = 20A, 10V	<8 мОмId, Vgs = 20A, 10V	<8 мОмId, Vgs = 20A, 10V	<8 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Заряд затвора	Q_G	75 нCVgs = 5V	75 нCVgs = 5V	75 нCVgs = 5V	75 нCVgs = 5V	75 нCVgs = 5V	75 нCVgs = 5V	75 нCVgs = 5V	13.2 нCVgs = 10V	13.2 нCVgs = 10V	13.2 нCVgs = 10V	13.2 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate