На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTB65N02R | NTB65N02RG | NTB65N02RT4 | NTB65N02RT4G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <1.04 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.33 нФVds = 20V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <25 В | <25 В | <25 В | <24 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <7.6 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <8.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V | |||
Заряд затвора | QG | 9.5 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||