NTB60N06G

NTB60N06, NTB60N06G, NTB60N06L, NTB60N06LG, NTB60N06LT4, NTB60N06LT4G, NTB60N06T4, NTB60N06T4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTB60N06GNTB60N06LNTB60N06LGNTB60N06LT4NTB60N06LT4GNTB60N06T4NTB60N06T4G
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.4 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.22 нФVds = 25V3.075 нФVds = 25V3.075 нФVds = 25V3.075 нФVds = 25V3.075 нФVds = 25V3.22 нФVds = 25V3.22 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<60 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<14 мОмId, Vgs = 30A, 10V<16 мОмId, Vgs = 30A, 5V<16 мОмId, Vgs = 30A, 5V<16 мОмId, Vgs = 30A, 5V<16 мОмId, Vgs = 30A, 5V<14 мОмId, Vgs = 30A, 10V<14 мОмId, Vgs = 30A, 10V
Заряд затвора
QG
81 нCVgs = 10V65 нCVgs = 5V65 нCVgs = 5V65 нCVgs = 5V65 нCVgs = 5V81 нCVgs = 10V81 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
StandardLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandardStandard