NTB5605PG

NTB5605P, NTB5605PG, NTB5605PT4, NTB5605PT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTB5605PGNTB5605PT4NTB5605PT4G
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<88 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.19 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<18.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<140 мОмId, Vgs = 8.5A, 5V
Заряд затвора
QG
22 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate