NTB30N06L

NTB30N06, NTB30N06G, NTB30N06L, NTB30N06LG, NTB30N06LT4, NTB30N06LT4G, NTB30N06T4, NTB30N06T4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTB30N06GNTB30N06LNTB30N06LGNTB30N06LT4NTB30N06LT4GNTB30N06T4NTB30N06T4G
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<88.2 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.2 нФVds = 25V1.15 нФVds = 25V1.15 нФVds = 25V1.15 нФVds = 25V1.15 нФVds = 25V1.2 нФVds = 25V1.2 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<27 А<30 А<30 А<30 А<30 А<27 А<27 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<42 мОмId, Vgs = 15A, 10V<46 мОмId, Vgs = 15A. 5V<46 мОмId, Vgs = 15A. 5V<46 мОмId, Vgs = 15A. 5V<46 мОмId, Vgs = 15A. 5V<42 мОмId, Vgs = 15A, 10V<42 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Заряд затвора
QG
46 нCVgs = 10V32 нCVgs = 5V32 нCVgs = 5V32 нCVgs = 5V32 нCVgs = 5V46 нCVgs = 10V46 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
StandardLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandardStandard