NTB23N03RG

NTB23N03, NTB23N03R, NTB23N03RG, NTB23N03RT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTB23N03RNTB23N03RGNTB23N03RT4G
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<37.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
225 пФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<25 В
Постоянный ток стока
IDSS
<23 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<45 мОмId, Vgs = 6A, 10V
Заряд затвора
QG
3.76 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Standard