NTB22N06LT4

NTB22N06, NTB22N06LT4, NTB22N06T4

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTB22N06LT4NTB22N06T4
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (3 leads + tab)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<60 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
690 пФVds = 25V700 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<22 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<65 мОмId, Vgs = 11A, 5V<60 мОмId, Vgs = 11A, 10V
Заряд затвора
QG
20 нCVgs = 5V32 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateStandard