На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NTB18N06G | NTB18N06L | NTB18N06LG | NTB18N06LT4 | NTB18N06LT4G | NTB18N06T4 | NTB18N06T4G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | ||||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Мощность | P | <48.4 Вт | ||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 450 пФVds = 25V | 440 пФVds = 25V | 440 пФVds = 25V | 440 пФVds = 25V | 440 пФVds = 25V | 450 пФVds = 25V | 450 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <15 А | ||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <90 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 7.5A, 5V | <100 мОмId, Vgs = 7.5A, 5V | <100 мОмId, Vgs = 7.5A, 5V | <100 мОмId, Vgs = 7.5A, 5V | <90 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V | <90 мОмId, Vgs = 7.5A, 10V |
Заряд затвора | QG | 22 нCVgs = 10V | 20 нCVgs = 5V | 20 нCVgs = 5V | 20 нCVgs = 5V | 20 нCVgs = 5V | 22 нCVgs = 10V | 22 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Standard | Standard |