NTB125N02RG

NTB125N02, NTB125N02R, NTB125N02RG, NTB125N02RT4, NTB125N02RT4G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNTB125N02RNTB125N02RGNTB125N02RT4NTB125N02RT4G
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<1.98 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.44 нФVds = 20V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<24 В
Постоянный ток стока
IDSS
<15.9 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<4.6 мОмId, Vgs = 20A, 10V
Заряд затвора
QG
28 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate