NMSD200

NMSD200, NMSD200B01-7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрNMSD200B01-7
Корпус микросхемы
Корпус
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Производитель
Производитель
Diodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<200 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
50 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<200 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<3 ОмId, Vgs = 50mA, 5V
FET Feature
FET Feature
Diode (Isolated)