MTP50P03

MTP50P03, MTP50P03HDL, MTP50P03HDLG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMTP50P03HDLMTP50P03HDLG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<125 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
4.9 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<30 В
Постоянный ток стока
IDSS
<50 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<25 мОмId, Vgs = 25A, 5V
Заряд затвора
QG
100 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate