На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MTP2P50E | MTP2P50EG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <75 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.183 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <2 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6 ОмId, Vgs = 1A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 27 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |