MTP23P06V

MTP23P06, MTP23P06V, MTP23P06VG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMTP23P06VMTP23P06VG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<90 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.62 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<23 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<120 мОмId, Vgs = 11.5A, 10V
Заряд затвора
QG
50 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard