На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MTD6N15T4 | MTD6N15T4G | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <1.25 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.2 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <150 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <6 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <300 мОмId, Vgs = 3A, 10V | |
Заряд затвора | QG | 30 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |