MMSF3P02HDR2G

MMSF3P02, MMSF3P02HDR2, MMSF3P02HDR2G, MMSF3P02HDR2SG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMSF3P02HDR2MMSF3P02HDR2GMMSF3P02HDR2SG
Корпус микросхемы
Корпус
8-SOIC (3.9mm Width)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<2.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.4 нФVds = 16V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<5.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<75 мОмId, Vgs = 3A, 10V
Заряд затвора
QG
46 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate