На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBF170-7 | MMBF170-7-F | MMBF170LT1 | MMBF170LT1G | MMBF170LT3 | MMBF170LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||||
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Мощность | P | <300 мВт | <300 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 40 пФVds = 10V | 40 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V | 60 пФVds = 10V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |||||
Постоянный ток стока | IDSS | <500 мА | |||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5 ОмId, Vgs = 200mA, 10V | |||||
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |