На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MGSF1N03LT1 | MGSF1N03LT1G | MGSF1N03LT3 | MGSF1N03LT3G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <420 мВт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 140 пФVds = 5V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <1.6 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <100 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||