На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MGSF1N02ELT1 | MGSF1N02LT1 | MGSF1N02LT1G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | ||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <400 мВт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 160 пФVds = 5V | 125 пФVds = 5V | 125 пФVds = 5V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <20 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <750 мА | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <85 мОмId, Vgs = 1A, 4.5V | <90 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V | <90 мОмId, Vgs = 1.2A, 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||