IXTY1R4N100P

IXTY1, IXTY1R4N100P, IXTY1R4N120P, IXTY1R4N60P, IXTY1R6N100D2, IXTY1R6N50D2, IXTY1R6N50P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTY1R4N100PIXTY1R4N120PIXTY1R4N60PIXTY1R6N100D2IXTY1R6N50D2IXTY1R6N50P
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<63 Вт(не задано)<50 Вт<100 Вт<100 Вт<43 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
450 пФVds = 25V(не задано)140 пФVds = 25V645 пФVds = 25V645 пФVds = 25V140 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
(не задано)(не задано)<600 В(не задано)<500 В<500 В
Постоянный ток стока
IDSS
<1.4 А<1.4 А<1.4 А<1.6 А<1.6 А<1.6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<11 ОмId, Vgs = 500mA, 10V(не задано)<9 ОмId, Vgs = 500mA, 10V<10 ОмId, Vgs = 800mA, 0V<2.3 ОмId, Vgs = 800mA, 0V<6.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
Polar™(не задано)PolarHV™(не задано)(не задано)PolarHV™
Заряд затвора
QG
17.8 нCVgs = 10V(не задано)5.2 нCVgs = 10V27 нCVgs = 5V23.7 нCVgs = 5V3.9 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
StandardStandardStandardDepletion ModeDepletion ModeStandard