IXTR62N15

IXTR62N15, IXTR62N15P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTR62N15P
Корпус микросхемы
Корпус
ISOPLUS247™
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<150 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.25 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В
Постоянный ток стока
IDSS
<36 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<45 мОмId, Vgs = 31A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PolarHT™
Заряд затвора
QG
70 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard