IXTR170P10P

IXTR170P10, IXTR170P10P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTR170P10P
Корпус микросхемы
Корпус
ISOPLUS247™
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<312 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
12.6 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<108 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<13 мОмId, Vgs = 85A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PolarP™
Заряд затвора
QG
240 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard