IXTP90N055

IXTP90N055, IXTP90N055T, IXTP90N055T2

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTP90N055TIXTP90N055T2
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<176 Вт<150 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.5 нФVds = 25V2.77 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<55 В
Постоянный ток стока
IDSS
<90 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<8.8 мОмId, Vgs = 25A, 10V<8.4 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серия MOSFET
Серия
TrenchT2™
Заряд затвора
QG
61 нCVgs = 10V42 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard