На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTP8N50P | IXTP8N50PM | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220 | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <150 Вт | <41 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.05 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <8 А | <4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <800 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <800 мОмId, Vgs = 4A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PolarHV™ | |
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |