На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTP7N60P | IXTP7N60PM | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220 | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <150 Вт | <41 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.08 нФVds = 25V | 1.18 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <7 А | <4 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.1 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <1.1 ОмId, Vgs = 3.5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PolarHV™ | Polar™ |
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |