На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTP2R4N120P | IXTP2R4N50P | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220 | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <125 Вт | <55 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.207 нФVds = 25V | 240 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | (не задано) | <500 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <2.4 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <7.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <3.75 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | Polar™ | PolarHV™ |
Заряд затвора | QG | 37 нCVgs = 10V | 6.1 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |