На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTP1R4N100P | IXTP1R4N120P | IXTP1R4N60P | IXTP1R6N100D2 | IXTP1R6N50D2 | IXTP1R6N50P | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220 |
Производитель | Производитель | IXYS | |||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||
Мощность | P | <63 Вт | <86 Вт | <50 Вт | <60 Вт | <100 Вт | <43 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 450 пФVds = 25V | 666 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V | 645 пФVds = 25V | 645 пФVds = 25V | 140 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | <600 В | (не задано) | <500 В | <500 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <1.4 А | <1.4 А | <1.4 А | <1.6 А | <1.6 А | <1.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <11 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <13 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <9 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <10 ОмId, Vgs = 800mA, 0V | <2.3 ОмId, Vgs = 800mA, 0V | <6.5 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | Polar™ | Polar™ | PolarHV™ | (не задано) | (не задано) | PolarHV™ |
Заряд затвора | QG | 17.8 нCVgs = 10V | 24.8 нCVgs = 10V | 5.2 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 5V | 23.7 нCVgs = 5V | 3.9 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Standard | Depletion Mode | Depletion Mode | Standard |