IXTP110N055

IXTP110N055, IXTP110N055P, IXTP110N055T, IXTP110N055T2

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTP110N055PIXTP110N055TIXTP110N055T2
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<390 Вт<230 Вт<180 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.21 нФVds = 25V3.08 нФVds = 25V3.06 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<55 В
Постоянный ток стока
IDSS
<110 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<13.5 мОмId, Vgs = 500mA, 10V<7 мОмId, Vgs = 25A, 10V<6.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PolarHT™TrenchMV™TrenchT2™
Заряд затвора
QG
76 нCVgs = 10V67 нCVgs = 10V57 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard