На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTP10N60P | IXTP10N60PM | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220 | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <200 Вт | <50 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.61 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | <5 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <740 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <740 мОмId, Vgs = 5A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PolarHV™ | |
Заряд затвора | QG | 32 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |