На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTP08N100D2 | IXTP08N100P | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220AB | TO-220 |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <60 Вт | <42 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 325 пФVds = 10V | 240 пФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <800 мА | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <21 ОмId, Vgs = 400mA, 0V | <20 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | Polar™ |
Заряд затвора | QG | 14.6 нCVgs = 5V | 11.3 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Depletion Mode | Standard |