На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTP05N100M | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220 |
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <25 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 260 пФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <700 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <17 ОмId, Vgs = 375mA, 10V |
Заряд затвора | QG | 7.8 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |