IXTN8N150L

IXTN8N150, IXTN8N150L

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTN8N150L
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-227B miniBLOC
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<545 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
8 нФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<7.5 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<3.6 ОмId, Vgs = 4A, 20V
Заряд затвора
QG
250 нCVgs = 15V
FET Feature
FET Feature
Standard