На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTN32P60P | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227B miniBLOC |
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Мощность | P | <890 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 11.1 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <32 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <350 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PolarP™ |
Заряд затвора | QG | 196 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |