IXTH6N80

IXTH6N80, IXTH6N80A

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTH6N80A
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247AD
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<180 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.8 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<800 В
Постоянный ток стока
IDSS
<6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.4 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Заряд затвора
QG
130 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard