На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTH3N100P | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247 |
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <125 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.1 нФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.8 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PolarVHV™ |
Заряд затвора | QG | 39 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |