На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTH30N50L | IXTH30N50L2 | IXTH30N50P | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247AD, TO-247 | TO-247AD, TO-247 | TO-247AD, TO-247AD |
Производитель | Производитель | IXYS | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <400 Вт | <400 Вт | <460 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 10.2 нФVds = 25V | 8.1 нФVds = 25V | 4.15 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <30 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | MegaMOS™ | Linear L2™ | PolarHV™ |
Заряд затвора | QG | 240 нCVgs = 10V | 240 нCVgs = 10V | 70 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||