IXTH16P60

IXTH16P60, IXTH16P60P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTH16P60P
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<460 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
5.12 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<16 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<720 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
PolarP™
Заряд затвора
QG
92 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard