IXTH120P065

IXTH120P065, IXTH120P065T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTH120P065T
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<298 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
13.2 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<65 В
Постоянный ток стока
IDSS
<120 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<10 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
TrenchP™
Заряд затвора
QG
185 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard