IXTF230N085T

IXTF230N085, IXTF230N085T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTF230N085T
Корпус микросхемы
Корпус
ISOPLUS i4-PAC™
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<200 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
9.9 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<85 В
Постоянный ток стока
IDSS
<130 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<5.3 мОмId, Vgs = 50A, 10V
Серия MOSFET
Серия
TrenchMV™
Заряд затвора
QG
187 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard