На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTB30N100L | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 3-PLUS264™ |
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <800 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 13.2 нФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <30 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <450 мОмId, Vgs = 500mA, 20V |
Заряд затвора | QG | 545 нCVgs = 20V |
FET Feature | FET Feature | Standard |